CREE碳化硅MOSFET分立15A/1200V
描述
該SiC FET器件基於獨特的“共源共柵”電路配置，其中常開SiC JFET與Si共封裝MOSFET以產生常關SiC FET器件。該設備的標準柵極驅動特性允許真正的“插入”“替換”為Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET或Si超結設備。該器件在TO-247-3L封裝中具有超低的柵極電荷和優異的反向恢復特性，使其成為切換感性負載和任何應用的理想選擇需要標準柵極驅動。
特性
典型導通電阻RDS（開），典型值為150mW
工作溫度175°C
出色的反向恢復
低柵極電荷
低固有電容
應用
開關電源，充電機，電動汽車，電機驅動器，感應加熱設備
額定值
電氣特性（TJ=+25°C，除非另有規定）典型性能-靜態
SiC FET是由高壓SiC耗盡型JFET和低壓硅MOSFET形成的增強型功率開關串聯連接。硅MOSFET用作控制單元而SiC JFET在關斷狀態下提供高電壓阻擋。這單個軟件包中的設備組合提供了與標準柵極驅動器，在低導通電阻（RDS（on））、輸出電（Coss）、柵極電荷（QG）和反向恢復電荷（Qrr）導致低導通和開關損失。SiC FET還提供優異的反向傳導無需外部反並聯二極管。
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